多晶矽超純水設備

型號：單晶矽超純水設備
電壓：220V
特點：可生產三級水
應用：多晶矽生產超純水

谘詢熱線：400-8732-808

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多晶矽超純水設備

矽片是現代半導體(ti) 行業(ye) 不可或缺的基礎材料，而在矽片的生產(chan) 過程中會(hui) 有許多的汙染物質幹擾產(chan) 品的最終質量，所以半導體(ti) 器件的生產(chan) 矽片需要進行嚴(yan) 格的清洗，通過清洗去除掉表麵的汙染雜質，包括有機物和無機物等，否則微量元素的汙染會(hui) 導致半導體(ti) 器件失效。

多晶矽是由許多矽原子及許多小的晶粒組合而成的矽晶體(ti) 。由於(yu) 各個(ge) 晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶矽一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆，常溫下不活潑。

多晶矽是用金屬矽(工業(ye) 矽)經化學反應、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原矽)。目前世界上多晶矽生產(chan) 的方法主要有改良西門子法(SiHCl3)、新矽烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶矽生產(chan) 工藝。

對於(yu) 消毒係統和清洗係統而言有四種類型：低pH值型、高pH值型、高溫消毒型以及低濃度氧化消毒清洗型。單獨的消毒清洗程序隻針對淡水、濃水以及給水管線而言，消毒清洗的循環過程可以獨立完成，獨立的循環程序也可同時進行，從(cong) 而減少總的使用時間。由於(yu) 極水循環的低清洗流速，大多數情況下清洗過程必須同時與(yu) 濃水循環清洗和淡水循環清洗同時進行。清洗水箱及水泵是必備的(CIP係統)。總共需要五條清洗流水線：兩(liang) 個(ge) 進口(淡水進口和濃水進口)以及三個(ge) 出口(淡水出口，給水出口和濃水排放)。

工藝流程：

原水箱→原水提升泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過濾器→EDI係統→EDI水箱→拋光混床→用水點

設備特點：

1.能耗低，水資源利用率高，設備運行成本得到了有效控製。
2.設備全自動化微電腦控製，當運行過程出現故障時，會(hui) 及時停止，且具有自動保護功能。
3.膜組件部分是采用國際進口材料，表現出更高的溶質分離率和透過速率。
4.設備整體(ti) 化程度高，易於(yu) 擴展，可以增加膜的過濾數量從(cong) 而增加單位時間內(nei) 的處理量。
5.係統整體(ti) 無易損部件，不會(hui) 存在大量需要維修的情況，保障設備的長期有效運行。
6.結構搭配合理，減少設備使用的占地麵積。
7.設備可連續生產(chan) ，卡扣式安裝方式，維修維護快速便捷。
8.出水水質穩定，設備的實用性設計強，便於(yu) 日常使用。
9.不需要處理廢酸廢堿，也不需要酸堿再生，極大程度的節約日常運行成本。

執行標準：

GB6682-2000中國國家實驗室用水GB6682-2000
GB/T 11446.7——1997 電子級水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測試方法
GB/T 11446.5——1997 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法
GB/T 11446.3——1997 電子級水測試方法通則
GB/T 11446.6——1997 電子級水中二氧化矽的分光光度測試方法
GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試方法
GB/T 11446.9——1997 電子級水中微粒的儀(yi) 器測試方法
GB/T 11446.8——1997 電子級水中總有機碳的測試方法
JBT 7621-1994 電力半導體(ti) 器件工藝用高純水
ASTM D5127-2007美國電子和半導體(ti) 水質標準
GBT11446.1-2013電子級超純水中國國家標準