單矽晶體(ti) 超純水設備主要作用是用於(yu) 清除表麵汙染雜質,包括有機物和無機物,這些雜質有的是以原子狀態、離子狀態、薄膜形式、顆粒形式存在與(yu) 矽片的表麵。有機汙染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、有機汙染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機汙染包括重金屬鉻、銅、鐵、金等,嚴(yan) 重影響少數載流子壽命和表麵電導;堿金屬如鈉等,引起嚴(yan) 重漏電;顆粒汙染源則包括有機膠體(ti) 纖維、微生物、細菌、塵埃、矽渣等物質,這類物質都會(hui) 在生產(chan) 過程中造成不同程度的危害,所以現在的半導體(ti) 器件生產(chan) 、太陽能電池矽片、多晶矽、單晶矽的生產(chan) 過程中都需要使用超純水進行衝(chong) 洗,保證整體(ti) 過程受到的危害降到最小。

滲源純水企業(ye) 生產(chan) 的單矽晶體(ti) 超純水設備采用的是國內(nei) 先進的科技,並搭配使用國際進口零部件,加上公司獨到的管理經驗理念,生產(chan) 出滿足於(yu) 單矽晶體(ti) 行業(ye) 應用的高質量超純水設備。
原水箱→原水提升泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過濾器→EDI係統→EDI水箱→拋光混床→用水點(≥18.2MΩ.CM)
1.預處理係統是采用目前技術的裝置,它的淨水效果顯著。可以去除水中的的細菌、泥沙、膠體(ti) 、懸浮物、異味等雜質。如果水中的硬度較高時,則還會(hui) 降低水中的硬度。
2.反滲透技術主要由高壓泵、膜克、還有進口反滲透膜的組件、儀(yi) 表、控製電氣等組成。使其水中的電導率下降,電阻率提升。
3.後處理部分是對反滲透製取的純水做更進一步的深化處理。使其出水的電阻率可以到18.2兆歐,從(cong) 而使生產(chan) 出來的水達到最佳的晶片清洗標準。
4.超純水設備的脫鹽核心部件為(wei) 進口的反滲透膜組件,超純水設備一般都是有預處理裝置、反滲透技術、後處理由拋光混床、EDI係統部分共同組成,使其淨水的效果顯著。
經過這幾部分處理之後的水能夠滿足於(yu) 單晶矽清洗用超純水用水要求,部分生產(chan) 企業(ye) 要求水中不能含有微生物、真菌等,所以會(hui) 在後麵加裝紫外燈殺菌裝置來確保水質達到生產(chan) 所需。
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