IC封裝是電子半導體(ti) 中常見的封裝方式之一，是指通過把矽片上的電路管腳，用導線接引到外部接頭處，以便與(yu) 其它器件連接。封裝形式是指安裝半導體(ti) 集成電路芯片用的外殼。它不僅(jin) 起著安裝、固定、密封、保護芯片及增強電熱性能等方麵的作用，而且還通過芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與(yu) 其他器件相連接，從(cong) 而實現內(nei) 部芯片與(yu) 外部電路的連接。

因為(wei) 芯片必須與(yu) 外界隔離，以防止空氣中的雜質對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。

而在IC的生產(chan) 和IC封裝中，大多數工序都需要超純水進行清洗，晶圓及工件與(yu) 水直接接觸，在封裝過程中的減薄工序和劃片工序，更是離不開超純水，一方麵晶圓在減薄和劃片過程中的矽粉雜質得到洗淨，而另一方麵純水中的微量雜質又可能使芯粒再汙染，這毫無疑問將對封裝後的IC質量有著極大的影響。

IC集成度的進一步提高，對水中汙染物的要求也將更加嚴(yan) 格。據美國提出的水質指標說明，集成度每提高一代，雜質都要減少1/2～1/10。

隨著半導體(ti) IC設計規則從(cong) 1.5～0.25μm的變化，相應地超純水的水質除電阻率已接近理論極限值外，其TOC(總有機碳)、DO(溶解氧)、Si02、微粒和離子性雜質均減少2～4個(ge) 數量級。

在當前的水處理中，各項雜質處理的難易程度依次是TOC、SiO2、DO、電阻率，其中電阻率達到18MΩ.cm(25℃)是當前比較容易達到的。由於(yu) TOC含量高會(hui) 使柵氧化膜尤其是薄柵氧化膜中缺陷密度增大，所以柵愈薄要求TOC愈低，況且現在IC技術的發展趨勢中，芯片上柵膜越來越薄，故降低TOC是當前和今後的最大難點，因而已成為(wei) 當今超純水水質的象征和重心。